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本发明属于芯片制造技术领域，涉及一种DMD无掩膜光刻超导量子芯片方法，包括以下步骤：导入芯片版图，并阵列排布多个芯片版图得到切图文件；基于衬底材料和芯片版图的尺寸，选取第一曝光时间范围，并基于第一曝光时间范围，分别为所述切图文件内的芯片版图...
该专利属于深圳量旋科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳量旋科技有限公司授权不得商用。

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