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本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，其结构包括n型碳化硅衬底、位于衬底上方的n型碳化硅外延层、位于外延层顶部的沟槽栅、包裹于沟槽栅下部的氧化层，以及位于氧化层两侧且从上到下依次为n型源区、p型基区、p型沟槽保护区；一电流传输区，形...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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