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本发明涉及碳化硅晶体领域，特别涉及一种高质量碳化硅晶体生长坩埚。本发明能够有效克服坩埚侧壁过热造成的原料会发不均匀问题，并能预防由于Si组分缺失造成的晶体内C包裹体的形成，制备高质量的SiC晶体。制备高质量的SiC晶体。制备高质量的SiC晶...
该专利属于安徽微芯长江半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽微芯长江半导体材料有限公司授权不得商用。

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