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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括:半导体层,具有相对的第一和第二表面；沟槽栅,其处于半导体层中，沿着与第一和第二表面平行的第一方向延伸并且从第一表面延伸到半导体层内部,沟槽栅具有远离第二表面的栅开口端；第一导电类型的源...
该专利属于安世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安世有限公司授权不得商用。

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