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一种使用CMOS工艺的BEOL的材料形成的MEMS装置，其中应用vHF和后背衬的后处理来形成该MEMS装置，并且其中该MEMS装置的总尺寸在50μm和150μm之间。在其他应用中，MEMS装置可以被实现为惯性传感器。以被实现为惯性传感器。以...
该专利属于纳努森有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳努森有限公司授权不得商用。

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