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本申请涉及半导体领域，涉及一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法。异常硅棒为目标电阻率大于70欧姆厘米的P型单晶硅棒，且电阻率超过目标电阻率20%或以上。该方法包括：S1：将异常硅棒加热至600
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该专利属于新美光（苏州）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新美光（苏州）半导体科技有限公司授权不得商用。

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