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本发明公开了一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法，该方法步骤如下：构建直通、反射和线校准件结构；获取待测件及校准件的S参数；求解引线及焊盘结构引入的八项误差；根据所求八项误差完成对待测件S参数的去嵌入；其中引线及焊盘结构引入的八项误差由直...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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