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本发明涉及最佳工作点可调的硅纳米线阵列式加速度计及其加工方法，硅纳米线阵列式加速度包括硅纳米线敏感单元、质量块、氮化硅薄膜、金电极、栅极以及硅基底。当加速度计受到外界的加速度作用时，质量块上下移动会使得硅纳米线发生形变，导致硅纳米线的电导变...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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