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本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一导电类型top层分布在表面，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列，多晶硅电极插入埋氧层中。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面...
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