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本发明提供一种功率IGBT器件及制备方法，器件包括集电极、P型集电区、N型场阻止层、N型漂移区、氧化层、和发射极，在所述N型漂移区内部顶层中间区域设置有一个沟槽栅极结构；所述沟槽栅极结构内部设置有栅电极和氧化层；器件沟槽栅极结构一侧的第一浮...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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