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本发明提供一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明器件包括自下而上设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、电荷储存区、栅极结构、层间介质层和金属发射极，存在两个凹槽，其间形成P型电位调制区。在反向阻断时，...
该专利属于电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。

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