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本申请提供了一种氮化镓外延金刚石结构，包括氮化镓表面的氮化硅层，以及氮化硅表面的金刚石层。本发明通过优化设计氮化镓与金刚石结合生长的方法、工艺条件及其环境，使得氮化镓上生长的金刚石薄膜均匀且致密，并且具有良好的附着力，不容易脱落；在制备过程...
该专利属于化合积电（厦门）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过化合积电（厦门）半导体科技有限公司授权不得商用。

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