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本发明涉及加速器型中子靶技术领域，具体而言，涉及一种基于原位生长的中子靶及其制备方法。该中子靶的基底的一侧设有多个凹坑；基底的一侧表面依次设有储氢同位素层和耐溅射层；储氢同位素层和耐溅射层在凹坑的位置向基底凹陷，使耐溅射层的表面具有多个溅射...
该专利属于青岛元动芯能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛元动芯能源科技有限公司授权不得商用。

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