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本发明属于电化学技术领域，具体涉及一种通过碳化钼制备的缺陷碳材料及其制备方法和用途。所述缺陷碳材料的晶格条纹间距大于0.335nm，所述缺陷碳材料中的缺陷位点是边缘缺陷位点和/或空位缺陷位点。本发明选择负载在碳上的碳化钼(Mo2C/C)作为...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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