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本发明涉及一种半导体靶材用超高纯铜锰铸锭的制备方法，所述制备方法包括：首先将铜原料依次进行第一调压、第一升温、第二调压、第二升温和第三升温，得到铜液；将所述铜液进行第三调压，再加入锰原料，之后依次进行第四调压和第五调压，得到铜锰合金液；将所...
该专利属于宁波微泰真空技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波微泰真空技术有限公司授权不得商用。

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