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本发明公开了一种基于二维材料的负电容场效应晶体管结构及制备方法，通过采用多步干转移法，在衬底的埋栅上形成二维铁电材料铁电层、二维绝缘材料栅介质层和二维半导体材料沟道层的叠层结构，利用二维铁电材料与二维绝缘材料和二维半导体材料的组合形成二维范...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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