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采用调谐凹陷深度栅极以获得改进设备线性度的多栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)制造技术
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下载采用调谐凹陷深度栅极以获得改进设备线性度的多栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)的技术资料
文档序号:35510539
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多栅极HEMT包括至少两个栅极(202,204),其中至少一个栅极(204)与至少一个其他栅极(202)相比,在势垒层(206)中凹陷相同的深度或更深的深度。使栅极凹陷将栅极下方的势垒层(206)的厚度减小,这减小了在势垒层(206)和凹陷...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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