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一种MEMS芯片用CVD密封多层真空腔结构，其中：衬底为圆片结构，第一层氧化层上通过CVD或者外延生长出第一层硅层，第二层氧化层上有第二层硅层；第二层硅层上设有通孔，形成低真空度腔室和高真空度腔室，设有多个腔室，在CVD工艺过程中，通入惰性...
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