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本发明公开了一种用于保护半导体表面处的高电压区免受所述半导体表面处的低电压区影响的结构和方法。所述结构包括在所述高电压区和所述低电压区之间的至少两个沟槽以将所述高电压区与所述低电压区隔离。所述沟槽隔开以便在其间限定子区。为了防止跨所述沟槽的...
该专利属于瑟其福耐斯特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑟其福耐斯特有限公司授权不得商用。

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