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本发明涉及一种Si衬底上GeSn/Ge雪崩光电二极管及其制造方法。一种Si衬底上GeSn/Ge雪崩光电二极管，包括由下至上依次堆叠的：下部掺杂硅区，本征硅倍增层，中间掺杂硅层，本征锗吸收层，本征锗锡吸收层，上部掺杂锗锡层，其中，所述本征锗吸...
该专利属于广州诺尔光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州诺尔光电科技有限公司授权不得商用。

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