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一种浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法技术
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文档序号:35356999
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本发明提出了一种利用浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法,头部原料为富锂原料,其余部分为化学计量比原料,通过观察原料棒状态,判断当生长室温度达到适合晶体生长时,移动籽晶和原料棒连接到一起,使富锂的原料部分始终集中在热源中心保持熔融,随着晶...
该专利属于济南量子技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过济南量子技术研究院授权不得商用。
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