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本发明涉及一种加热器、拉晶炉和消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法，涉及单晶硅晶体生长领域，加热本体为圆筒形，拉晶炉的导流筒架设于坩埚上方，加热本体安装于导流筒内侧。消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法，采用所述的拉晶炉实现，单晶硅棒拉出液面后...
该专利属于陶莹所有，仅供学习研究参考，未经过陶莹授权不得商用。

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