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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，增强型氮化镓HEMT器件包括氮化镓层、氮化镓帽层、氮化硅层、源极区、漏极区、P型掺杂区、栅极层、场板延伸层以及气桥场板层，通过在与P型掺杂区互不接触的位置设置场板延...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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