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本发明涉及电子半导体器件和制备所述电子半导体器件的方法。具体地，本发明涉及一种电子器件，其在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价结合的原子构成的第一空穴传输基质化合物，和(ii)...
该专利属于诺瓦尔德股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过诺瓦尔德股份有限公司授权不得商用。

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