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本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面氮化镓器件及其制备方法，平面氮化镓器件包括：源极区、漏极区、沟道层、势垒层、钝化层和栅极区；其中，源极区包括源极主体和多个源极单元；漏极区包括漏极主体和多个漏极单元；栅极区包括栅极主体和多个栅极单元；...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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