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本发明属于高温结构陶瓷技术领域，公开了一种多孔SiC陶瓷材料及其制备方法；所述制备方法为：将SiC颗粒与液态聚碳硅烷混合均匀后，压制成坯体；将坯体于1000～1300℃的温度下进行微波烧结处理，得到所述多孔SiC陶瓷材料。本发明通过在SiC...
该专利属于郑州航空工业管理学院所有，仅供学习研究参考，未经过郑州航空工业管理学院授权不得商用。

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