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本公开的实施例涉及用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极触点结构。一种集成电路晶体管器件包括：半导体衬底，提供漏极；第一掺杂区域，被掩埋在所述半导体衬底中提供主体；以及提供源极的所述半导体衬底中的第二掺杂区域。沟槽延伸到所述半导体...
该专利属于意法半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体有限公司授权不得商用。

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