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本发明提供了一种IGBT器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底至少包括元胞区及位于所述元胞区外围的外围区；在所述外围区上形成氧化层；在所述元胞区形成多个沟槽栅结构，在所述氧化层上形成栅极；在所述衬底、所述氧化层和所述栅极上形成层间介质层；...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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