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本发明公开了一种提升隐切背镀加工芯片良率的方法，涉及半导体加工领域，解决现有工艺影响最终的芯片产品良率的问题，包括生长粘附层；贴膜；隐形切割；背片；背镀；翻转；裂片。隐形切割的过程中晶圆背面朝上，未对芯片的电极造成任何损伤，使LED芯片漏电...
该专利属于西安中为光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安中为光电科技有限公司授权不得商用。

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