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一种氟化碳纳米管阵列的制备方法，属于氟化碳材料制备、一次电池技术领域。本发明通过调控氟化条件，调控氟化碳纳米管阵列的形貌、结构和F/C比。碳纳米管阵列由于高度的阵列取向结构，具有阵列排布的传输通道，有利于氟化后形成阵列型的氟化碳纳米管，从而...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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