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本发明公开一种功率半导体器件封装结构，包括：位于环氧封装体内的IGBT芯片、续流二极管、第一导电基板、第二导电基板以及栅极引脚、发射极引脚，位于所述IGBT芯片下表面的集电区与第一导电基板电连接，位于所述IGBT芯片上表面的栅极区、发射区与...
该专利属于苏州达晶半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州达晶半导体有限公司授权不得商用。

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