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本发明提供了一种低温离子注入方法及装置，该装置包括预冷台、与所述预冷台相连的预热台和传送部。所述传送部，用于在对硅片进行低温离子注入工艺前，将所述硅片传送至预冷台；所述预冷台，用于对所述硅片进行预冷；所述传送部，还用于将所述硅片转移到工艺腔...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

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