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一种高性能InAs量子点激光器及其制备方法技术
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文档序号:34982227
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一种高性能InAs量子点激光器及其制备方法,包括依次层叠的衬底、GaAs缓冲层、下包覆层、InAs量子点有源区和上包覆层,所述InAs量子点有源区包括依次层叠的n型掺杂的量子点层、GaAs非掺杂间隔层、p型掺杂的GaAs层和GaAs非掺杂间...
该专利属于湖南汇思光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过湖南汇思光电科技有限公司授权不得商用。
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