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本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括：步骤一、对半导体衬底进行第一次刻蚀形成鳍体的顶部部分；顶部部分又分成第一段和第二段；第二段作为沟道层；步骤二、在第二段的侧面形成牺牲侧墙使第一段的侧面露出；步骤三、形成掺杂介质层将第一段的侧...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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