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本发明提供了一种硅基短波近红外单光子雪崩二极管及其制作方法，二极管的雪崩区由中心深N阱401和深P阱5构成，可以形成较宽的雪崩倍增区，可以有效提高短波近红外波段的光子吸收，增大光谱响应，SPAD的保护环由未掺杂的P衬底构成虚拟保护环。由深P...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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