温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及功率半导体晶体管技术领域，提供一种具有载流子存储层的沟槽栅IGBT器件，从下至上依次设置集电极金属电极、集电极区、缓冲层、外延层、载流子存储层，在载流子存储层的表面设有互相平行的沟槽，沟槽内设有发射极多晶硅与第一栅极多晶硅，所述第...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。