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本发明提供一种单光子雪崩光电二极管及其制造方法，所述单光子雪崩光电二极管包括单光子雪崩光电二极管结构及自适应电阻结构。在单光子雪崩光电二极管结构上集成一个具有第一电阻状态和第二电阻状态的自适应电阻结构，可通过自适应电阻结构两端施加的偏置电压...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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