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用于决定提供于半导体晶片上的图案中的高度差的改进技术使用实际的测量(例如，来自SEM图像的测量)和高度差决定模型。在该模型的一个版本中，该模型的可测量的变量是被表示为阴影的深度(即，相对亮度)的变化的函数，其中阴影的深度取决于：在半导体晶片...
该专利属于应用材料以色列公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料以色列公司授权不得商用。

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