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本实用新型公开了一种MEMS半导体气体传感器，涉及传感器技术领域，包括单晶硅基底、下支撑层、加热电极、绝缘层和敏感电极，所述单晶硅基底、下支撑层、加热电极、绝缘层和敏感电极的外部设置有防护结构，本实用新型中，通过设置下壳体和上壳体对单晶硅基...
该专利属于山东乾能科技创新有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东乾能科技创新有限公司授权不得商用。

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