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本公开的实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一导电类型的半导体衬底；外延层，覆盖半导体衬底的顶表面；第一导电类型的基本半球形埋置区域，在半导体衬底中，基本半球形埋置第一区域具有与半导体衬底的顶面共面的顶面；第二导电类型的基本半球形核心，第...
该专利属于意法半导体（克洛尔2）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（克洛尔2）公司授权不得商用。

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