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本申请公开了一种中高压屏蔽栅功率MOSFET，该结构主要包括：半导体漏区；半导体漂移区；第一沟槽，其位于半导体漂移区的侧壁；第二导电类型的半导体柱，且深度不小于第三阈值；第二沟槽；屏蔽栅氧化层；屏蔽栅电极；极间介质；栅极氧化层；栅极电极；第...
该专利属于扬杰科技（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬杰科技（无锡）有限公司授权不得商用。

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