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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层；栅极盖帽层，覆盖栅极结构的顶部；第一介质层，位于栅极结构侧部的基底上，第一介质层顶部和栅极盖帽层顶部相齐平；第二介质层，覆盖第一介...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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