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本发明涉及单晶GaN制备技术领域，具体涉及一种通过氢化物气相外延法制备高质量单晶GaN的方法，包括如下步骤：S1、金属镓与氯化氢反应形成氯化镓蒸气；S2、将S1中得到的氯化镓蒸气伴随氨气快速通入到装有衬底材料的反应釜中，密封反应釜，并使其内...
该专利属于国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司授权不得商用。

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