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本发明提供一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片，该外延片通过在GaN基LED外延片中设置三维成核层，三维成核层包括依次层叠的第一三维成核层、三维成核温度转变层以及第二三维成核层，其中，生长第一三维成核层时的温度低于生长三维成核...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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