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本发明属于电化学锂硫电池技术领域，具体公开了基于纳米花状硫化铟作为隔膜修饰材料及其制备方法和应用。基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜制备包括以下步骤：将纳米花状In2S3与导电剂、粘结剂在有机溶剂中均匀混和成浆料，涂覆在隔膜上，烘干即可，并公...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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