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本发明公开了一种P型IBC电池及其制备方法，制备方法包括：（1）硅基底双面抛光；（2）双面沉积隧穿氧化层和非晶硅层，高温磷扩；（3）背面涂覆一层浆料，烘干和退火处理后形成一层掩膜层；（4）利用激光对背面的掩膜层进行图形化开膜，在背面形成裸露...
该专利属于常州时创能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州时创能源股份有限公司授权不得商用。

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