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本实用新型公开了一种半导体功率器件的边缘终端和半导体功率器件，该边缘终端包括：N个浮空场限环，浮空场限环环绕半导体功率器件的主结区，其中第1个至第n个浮空场限环的结深与主结区的结深相同，第n+i个浮空场限环的结深大于第n个浮空场限环的结深，...
该专利属于湖南国芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南国芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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