温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种垂直铁电场效应晶体管的制备方法和由此方法制备的垂直铁电场效应晶体管，该方法通过将源漏电极用绝缘层隔开之后，刻蚀掉多余的绝缘层，然后再在源漏电极之间制备半导体，最后制备栅绝缘层和栅极。该制备方法将源漏电极用绝缘层隔开之后，将半...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。