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本发明公开了一种高压硅MEMS压力传感器及制备方法，属于敏感元件与传感器领域。所述高压硅MEMS压力传感器采用MEMS硅芯片作为敏感元件，具备的高精度、高线性度、低成本，以及适于实现大批量的生产的优点；采用不锈钢作为应变片，在高压范围内具有...
该专利属于无锡胜脉电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡胜脉电子有限公司授权不得商用。

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