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本申请涉及一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法，涉及半导体光电器件的领域，其包括包括外延衬底，外延衬底上依次生长有GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，InGa...
该专利属于复旦大学义乌研究院所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学义乌研究院授权不得商用。

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